H11D1SR2M

H11D1SR2M

Powiązane produkty: Zastosowania: • Niezawodność półprzewodnikowa sterowana CMOS • Detektor dzwonka telefonicznego • Cyfrowa izolacja logiczna Opis ogólny: Urządzenie H11AG1M składa się z diody emitującej IRED galowo-glinowo-arsenkowej połączonej z fototranzystorem krzemowym w podwójnym rzędzie. .
Wyślij zapytanie

Opis

Parametry techniczne

Powiązane produkty:

 

Nr części

H11D1SM

H11D1SR2M

H11D1SR2VM

H11D1SVM

Opis

TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYTORA

TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYTORA

TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYTORA

TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYTORA

Magazyn

80000

80000

80000

80000

Stan produktu

Aktywny

Aktywny

Aktywny

Aktywny

Napięcie - izolacja

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Aktualny współczynnik transferu (min)

20% przy 10 mA

20% przy 10 mA

20% przy 10 mA

20% przy 10 mA

Aktualny współczynnik transferu (maks.)

600% przy 10 mA

600% przy 10 mA

600% przy 10 mA

600% przy 10 mA

Czas włączenia/wyłączenia (typ)

5µs,5µs

5µs,5µs

5µs,5µs

5µs,5µs

Typ wejścia

DC

DC

DC

DC

Typ wyjścia

Tranzystor WN

Tranzystor WN

Tranzystor WN

Tranzystor WN

Napięcie — wyjście (maks.)

300V

300V

300V

300V

Prąd - Wyjście / Kanał

100mA

100mA

100mA

100mA

Napięcie — do przodu (Vf) (typ)

1.2V

1.2V

1.2V

1.2V

Prąd — przekazywanie prądu stałego (jeśli) (maks.)

60 mA

60 mA

60 mA

60 mA

Temperatura pracy

-55 stopni ~ 100 stopni

-55 stopni ~ 100 stopni

-55 stopni ~ 100 stopni

-55 stopni ~ 100 stopni

Opakowanie/etui

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

Pakiet

Taśma i szpula (TR)

Taśma i szpula (TR)

Taśma i szpula (TR)

Taśma i szpula (TR)

 

Aplikacjas:

 

• Niezawodność półprzewodnikowa oparta na technologii CMOS

• Detektor dzwonienia telefonu

• Cyfrowa izolacja logiczna

 

Opis ogólny:

 

Urządzenie H11AG1M składa się z diody elektroluminescencyjnej IRED galowo-glinowo-arsenkowej połączonej z fototranzystorem krzemowym w obudowie podwójnej. Urządzenie to zapewnia unikalną cechę wysokiego współczynnika przesyłu prądu zarówno przy niskim napięciu wyjściowym, jak i niskim prądzie wejściowym. Dzięki temu idealnie nadaje się do stosowania w obwodach logicznych małej mocy, sprzęcie telekomunikacyjnym i zastosowaniach izolacji elektroniki przenośnej.

Popularne Tagi: h11d1sr2m, Chiny h11d1sr2m producenci, dostawcy

Wyślij zapytanie