H11AG1SR2M

OPTOISO 5KV TRANS Z PODSTAWĄ 6SMD

Wyślij zapytanie

Opis

Parametry techniczne

Powiązane produkty:

Nr części	H11AG1SM	H11AG1SR2M	H11AG1SR2VM	H11AG1SVM
Opis	TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYSTORA	TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYSTORA	TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYSTORA	TRANSOPTOR, WYJŚCIE FOTOTRANSZYSTORA
Magazyn	80000	80000	80000	80000
Stan produktu	Aktywny	Aktywny	Aktywny	Aktywny
Napięcie - izolacja	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms
Aktualny współczynnik transferu (min)	300% @ 1mA	300% @ 1mA	300% @ 1mA	300% @ 1mA
Aktualny współczynnik transferu (maks.)	-	-	-	-
Czas włączenia/wyłączenia (typ)	-	-	-	-
Typ wejścia	DC	DC	DC	DC
Typ wyjścia	Tranzystor prądu stałego	Tranzystor prądu stałego	Tranzystor prądu stałego	Tranzystor prądu stałego
Napięcie — wyjście (maks.)	70V	70V	70V	70V
Prąd - Wyjście / Kanał	150mA	150mA	150mA	150mA
Napięcie — do przodu (Vf) (typ)	1.45V	1.45V	1.45V	1.45V
Prąd — przekazywanie prądu stałego (jeśli) (maks.)	-	-	-	-
Temperatura pracy	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Opakowanie/etui	SMD6 (7,62 mm)	SMD6 (7,62 mm)	SMD6 (7,62 mm)	SMD6 (7,62 mm)
Pakiet	Taśma i szpula (TR)	Taśma i szpula (TR)	Taśma i szpula (TR)	Taśma i szpula (TR)

Aplikacjas:

• Niezawodność półprzewodnikowa oparta na technologii CMOS

• Detektor dzwonienia telefonu

• Cyfrowa izolacja logiczna

Opis ogólny:

Urządzenie H11AG1M składa się z diody elektroluminescencyjnej IRED galowo-glinowo-arsenkowej połączonej z fototranzystorem krzemowym w obudowie podwójnej. Urządzenie to zapewnia unikalną cechę wysokiego współczynnika transferu prądu zarówno przy niskim napięciu wyjściowym, jak i niskim prądzie wejściowym. Dzięki temu idealnie nadaje się do stosowania w obwodach logicznych małej mocy, sprzęcie telekomunikacyjnym i zastosowaniach izolacji elektroniki przenośnej.

Popularne Tagi: h11ag1sr2m, Chiny h11ag1sr2m producenci, dostawcy

Para

H11AA4SR2M

Następny

H11D1SR2M

Wyślij zapytanie

Może ci się spodobać również