NCV57090BDWR2G

NCV57090BDWR2G to zaawansowany sterownik bramki izolacyjnej znany z wysokiego szczytowego prądu wyjściowego, niskiego spadku napięcia na zaciskach i różnych funkcji ochronnych. Dzięki szczytowemu prądowi wyjściowemu ±6,5 A zapewnia precyzyjną kontrolę tranzystorów IGBT i MOSFET. Niski spadek napięcia na zaciskach eliminuje potrzebę stosowania ujemnego zasilania, upraszczając projektowanie systemu. Krótkie opóźnienia propagacji i aktywne zaciskanie bramki podczas zwarć zwiększają wydajność i niezawodność systemu. Funkcja aktywnego opuszczania bramki zapewnia szybkie wyłączenie urządzenia, zwiększając bezpieczeństwo systemu. Wąskie progi UVLO i szeroki zakres napięcia polaryzacji zapewniają elastyczność w wyborze napięcia polaryzacji. Urządzenie obsługuje wejścia logiczne o napięciu 3,3 V, 5 V i 15 V, zapewnia izolację galwaniczną 5 kVrms, wysoką odporność na stany przejściowe i odporność elektromagnetyczną. Posiada również certyfikat AEC-Q100, obsługuje PPAP, nie zawiera Pb, nie zawiera halogenu/BFR i jest zgodny z dyrektywą RoHS, dzięki czemu nadaje się do zastosowań motoryzacyjnych i dbających o środowisko.

·Kontrola silnika

·Zasilacze bezprzerwowe (UPS)

·Zastosowania motoryzacyjne

·Zasilacze przemysłowe

·Inwertery fotowoltaiczne

NCx57090y, NCx57091y to wysokoprądowe, jednokanałowe sterowniki bramek IGBT/MOSFET z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach wymagających dużej mocy. Urządzenia akceptują wejścia komplementarne i w zależności od konfiguracji pinów oferują opcje takie jak Active Miller Clamp (wersja A/D/F), ujemne zasilanie (wersja B) oraz oddzielne wyjścia sterownika wysokiego i niskiego (OUTH i OUTL) (wersja C) /E) dla wygody projektowania systemu. Sterownik obsługuje szeroki zakres wejściowego napięcia polaryzacji i poziomów sygnału od 3,3 V do 20 V i jest dostępny w szerokiej obudowie SOIC-8.

Popularne Tagi: ncv57090bdwr2g, Chiny ncv57090bdwr2g producenci, dostawcy